技術(shù)編號：7213289
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作方法，特別涉及制作半導(dǎo)體器件過程中， 。背景技術(shù)對于集成電路的電極和互連線而言，2pm厚度的導(dǎo)電復(fù)合層已經(jīng)足夠，但 是，對于硅基螺旋電感，為了提高品質(zhì)因數(shù)，迫切需要降低金屬螺旋線圏的 串聯(lián)電阻，因此采用厚度大于2pm的金屬層(以下簡稱厚金屬)更為有利；再 如特殊的功率器件和電路中，也常常用到厚金屬來降低電阻和改善散熱。濕 法刻蝕雖然可以刻蝕厚金屬，但由于其刻蝕速率的各向同性，無法保證線條 精度和側(cè)壁形貌。因此，開發(fā)厚金屬的高精度干...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。