技術(shù)編號：7213287
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造工藝，更具體地說，涉及一種淺溝槽隔離(STI) 成形工藝。背景技術(shù)隨著半導體器件特征尺寸的不斷縮小，器件之間的隔離區(qū)域也隨之要 進行相應(yīng)的縮小。目前在0.35微米以上的集成電路制造工藝中應(yīng)用最廣泛 的隔離技術(shù)是LOCOS (Local oxide isolate)技術(shù)。該工藝雖然發(fā)展歷史 比較悠久、工藝也比較成熟，但是由于采用了場氧化工藝，所以氧化膜的 深度以及由于氧化而在場區(qū)邊緣的有源區(qū)域上產(chǎn)生的鳥嘴效應(yīng)都限制了這 一技術(shù)的進一步應(yīng)用...
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