技術(shù)編號：7212759
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及基于納米管的非易失性存儲器件，更特別地，涉及利用納米管的雙穩(wěn)態(tài)開關(guān)結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器件。背景技術(shù) 常規(guī)存儲器件的例子包括隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、及磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。這些半導(dǎo)體存儲器件通常分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件，它們具有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。因此，半導(dǎo)體存儲器件應(yīng)用的優(yōu)選領(lǐng)域是不同的。為了克服常規(guī)半導(dǎo)體存儲器件的缺點(diǎn)并開發(fā)新的應(yīng)用領(lǐng)域，需要開發(fā)新的存儲器件。一般知曉，非...
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