技術(shù)編號(hào)：7212752
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本專利申請(qǐng)是正規(guī)專利申請(qǐng)(非臨時(shí)的)，其依據(jù)35 U.S.C.199(e)要求至少以下US臨時(shí)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)SN 60/732,354、申請(qǐng)日為2005年10月31日、名稱為在用于器件應(yīng)用的SiGe外延期間通過(guò)原位C摻雜控制注入損傷、第一發(fā)明人為Jin Ping Liu，Singapore SG，atty docket ICIS-0165-PSP，確認(rèn)號(hào)碼為5534的申請(qǐng)；在此出于各種目的通過(guò)參考將其并入本申請(qǐng)。 背景技術(shù) 1)本發(fā)明的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。