技術(shù)編號：7212743
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，且特別是涉及一種。背景技術(shù) 非揮發(fā)性存儲器中的可電抹除且可程序只讀存儲器(EEPROM)具有可進(jìn)行多次數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等動作，且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點(diǎn)，所以已成為個人計算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種存儲元件。目前，業(yè)界提出一種非揮發(fā)性存儲器，采用氮化硅作為電荷儲存層。這種氮化硅電荷儲存層上下通常各有一層氧化硅，而形成一種具有硅-氧化硅/氮化硅/氧化硅-硅(SONOS)結(jié)構(gòu)的存儲單元。當(dāng)施加電壓于此元件的控制柵極與...
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