技術(shù)編號(hào)：7211448
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)方法本發(fā)明涉及對(duì)從硅單晶錠(下面稱作錠)上切下的硅晶片的表面缺陷進(jìn)行評(píng)價(jià)的方法。具體而言，本發(fā)明涉及，便于從Czochralski方法(下面稱作CZ方法)長出的錠上切下無缺陷區(qū)域硅晶片。2、相關(guān)技術(shù)描述隨著最近半導(dǎo)體集成電路的超微型化，出現(xiàn)了作為降低器件成品率的一個(gè)因素的晶體原生顆粒(crystal originated particle，下面稱作COP)，它是在晶體生長中引入的缺陷，即在硅單晶錠的晶體生長中形成的缺陷，也即小的氧沉淀缺陷，所述氧沉...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。