技術(shù)編號(hào)：7211441
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其涉及能夠有效地低成本提供性能高于規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法。背景技術(shù) 在日本專利公開No.07-050331中，晶片包含外延生長(zhǎng)在基板上并含有有源層(發(fā)光層)的多層半導(dǎo)體膜，且隨后將光脈沖從晶片表面注入有源層。受光脈沖激發(fā)從有源層出射的光發(fā)射的衰減時(shí)間被測(cè)量以確定主要影響發(fā)光效率的少數(shù)載流子的壽命，從而評(píng)估由該晶片形成的發(fā)光器件的發(fā)光效率。例如，在包含由多個(gè)氮化物基化合物半導(dǎo)體層形成的多層半導(dǎo)體膜的發(fā)光器件的情況下，由于多層半導(dǎo)體膜...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。