技術(shù)編號(hào):7211439
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,特別是涉及 一種可應(yīng)用于高集成度制造工藝的電容器結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元由金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)與電容器構(gòu)成,其中該晶 體管的源極電連接到該電容器的下電極。電容器可分為堆疊式和深溝槽式兩 種型態(tài)。堆疊式電容器直接在硅基板表面形成電容器,而深溝槽式電容器則 是在硅基板內(nèi)部形成電容器。圖1和圖2展示...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。