技術(shù)編號(hào):7211413
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件及其制造方法,特別涉及一種金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管及其制造方法。背景技術(shù)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管是目前超大規(guī)模集成電路(VLSI circuit)中極為 重要的元件,其應(yīng)用的范圍非常廣泛,諸如微處理器、半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件、功 率元件等等,都可以金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管作為基本的構(gòu)成單元。在一般的納米級(jí)工藝中,為了增加金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的元件效 能,會(huì)先在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中形成溝槽,然后利用外延工藝將會(huì)產(chǎn)生應(yīng) 變的半導(dǎo)體材料(如SiGe...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。