技術(shù)編號：7210696
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種高亮度發(fā)光二極管。在頒予Biing-Jye Lee等人的美國專利第5,789,768號(其申請人與本案相同)中，揭露如附圖說明圖1顯示的發(fā)光二極管構(gòu)造，其中由n型GaAs構(gòu)成的半導(dǎo)體基底12形成于n型背電極10上，半導(dǎo)體基底12上形成多層的布拉格反射層30，此多層布拉格反射層30宜由AlGaInP或AlGaAs等系列材料構(gòu)成。疊層結(jié)構(gòu)14形成于反射層30上，此疊層結(jié)構(gòu)14中包含由AlGaInP構(gòu)成的n型底部束縛層140...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。