技術(shù)編號：7210295
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及使用了氮化物半導(dǎo)體的功率晶體管及其制造方法。背景技術(shù)近年來，作為高頻率大功率設(shè)備使用了氮化鎵(GaN)系的氮化物半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管(FET =Field Effect Transistor)的研究十分活躍。GaN能夠與氮化鋁(AlN)以及氮化銦αηΝ)制作出各種混合晶體。因此，能夠與現(xiàn)有的砷化鎵(GaAs)等砷系半導(dǎo)體同樣地制作異質(zhì)結(jié)合。特別是氮化物半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)具有如下特征，即通過自發(fā)極化或壓電極化，從而即便在無摻雜狀態(tài)下在結(jié)界面也...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。