技術編號：7210279
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使用反色調硬掩模成像方法在器件上形成精細圖案的方法。 背景技術光致抗蝕劑組合物用于縮微光刻方法，這些方法例如在計算機芯片和集成電路的制造中用于制造小型化電子元件。通常，在這些方法中，首先將光致抗蝕劑組合物的薄涂膜施加于基材材料上，例如用于制造集成電路的硅晶片上。然后烘烤該已涂覆的基材以使該光致抗蝕劑組合物中的任何溶劑蒸發(fā)并將涂層固定到基材上。該涂覆在基材上的光致抗蝕劑接下來經歷暴露在輻射下的成像式曝光。該輻射曝光導致該涂覆表面的曝光區(qū)域發(fā)生化學轉...
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