技術(shù)編號：7208953
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。背景技術(shù) 在制造包括位于半導(dǎo)體材料薄膜和最終襯底之間的埋入氧化物薄膜(小于1 μ m) 的SOI型結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域中，在氧化物層尺寸減小過程中，氧化物層所出現(xiàn)的一個主要的問題在于鍵合界面處形成缺陷。這些缺陷的存在對于最終的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)而言可能是致命的。這些缺陷中有一些是在溫度退火過程中出現(xiàn)的氫鼓泡(S. Mack等人，Journal of Electrochemical Society. Vol. 144，p.1106，1997)。在分子鍵合過程中被帶到鍵合界面的...
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