技術(shù)編號：7208949
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種等離子體蝕刻方法及等離子體蝕刻裝置，涉及能夠很好地適用于含硅氧化膜的等離子體蝕刻工序，特別是高深寬比接觸(HARC)蝕刻工序的等離子體蝕刻方法及等離子體蝕刻裝置。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體器件的制造工序中，例如在半導(dǎo)體晶片(以下也稱作“晶片”)或FPD基板等基板表面上形成的被蝕刻膜上，通過光刻工序形成光致抗蝕圖案，將其作為掩模進(jìn)行被蝕刻膜的蝕刻。這種蝕刻中使用等離子體蝕刻裝置，所述等離子體蝕刻裝置是在配置于處理室內(nèi)的基板上形成處理氣體的等離子體，通過...
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