技術(shù)編號(hào)：7208421
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于對(duì)半導(dǎo)體晶片等基板實(shí)施等離子體處理等規(guī)定處理的基板處理裝置，以及在基板處理裝置的處理容器內(nèi)載置基板的基板載置臺(tái)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件的制造中，在處理容器內(nèi)將作為處理對(duì)象的基板的半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱晶片)載置于晶片載置臺(tái)，通過設(shè)置在載置臺(tái)主體內(nèi)的加熱器對(duì)晶片進(jìn)行加熱，并且在處理容器內(nèi)生成等離子體，對(duì)晶片進(jìn)行氧化處理、氮化處理、成膜、蝕刻等的等離子體處理。作為進(jìn)行上述的等離子體處理的等離子體處理裝置，目前大多采用平行平板型的裝置。最近，作為能夠在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。