技術(shù)編號:7208167
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例大致關(guān)于光伏特電池的制造。明確地說,本發(fā)明的實施例關(guān)于依 照所欲圖案激光移除材料層的部分的設(shè)備與方法。背景技術(shù)太陽能電池是將太陽光直接轉(zhuǎn)換成電力的光伏特(PV)組件。最常見的太陽能電 池材料為硅,其處于單晶或多晶基材形式,有時稱為晶片。因為形成硅基太陽能電池來產(chǎn)生 電力的分?jǐn)偝杀灸壳案哂诶脗鹘y(tǒng)方法產(chǎn)生電力的成本,樂于可減少形成太陽能電池的成 本。許多方法能夠制造太陽能電池的主動區(qū)、鈍化區(qū)及導(dǎo)體。然而,上述先前制造方法 與設(shè)備存在有許多問題。...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。