技術(shù)編號：7207509
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及TFT中的金屬氧化物半導(dǎo)體膜，并且更具體而言，涉及金屬氧 化物膜的載流子密度。背景技術(shù)金屬氧化物半導(dǎo)體由于其高載流子遷移率、光透明性和低沉積溫度而引起強烈的 興趣。高載流子遷移率將應(yīng)用擴展至要求較高頻率和較高電流的較高性能領(lǐng)域。光透明性 消除了對顯示器中的光屏蔽和傳感器活性基質(zhì)的需要。低沉積溫度使得能夠應(yīng)用于塑料襯 底上的柔性電子裝置。金屬氧化物半導(dǎo)體的獨有特征是(1)載流子遷移率不那么取決于膜的顆粒尺 寸，也就是說，高遷移率無定形金屬氧化...
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