技術(shù)編號(hào)：7206569
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有經(jīng)共軸饋送的共軸射頻饋給與多區(qū)交流加熱器電源輸 送的等離子體反應(yīng)器靜電卡盤(pán) 相關(guān)申請(qǐng)本發(fā)明主張?jiān)?008年5月5日申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案案號(hào)61/126,611以及在 2008年6月19日申請(qǐng)的美國(guó)申請(qǐng)案案號(hào)12/142,640的優(yōu)先權(quán)。背景技術(shù)對(duì)于直徑300mm的晶片而言，需要可移動(dòng)的陰極或晶片支撐座，因?yàn)榻宕丝蓪?工件或半導(dǎo)體晶片與頂蓋之間的間隙或距離調(diào)整多達(dá)數(shù)英寸。有此需求的其中一個(gè)原因 是對(duì)于既定工序，通過(guò)改變晶片到頂蓋之間的間隙，可改善一些工藝...
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