技術(shù)編號(hào)：7206157
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及薄膜太陽能電池制造裝置。本申請(qǐng)基于2008年6月6日于日本申請(qǐng)的特愿2008-149936號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在 此援用其內(nèi)容。背景技術(shù)現(xiàn)在的太陽能電池，單晶Si型和多晶Si型占據(jù)大半，人們擔(dān)心Si的材料不足 等。因此，近年來，制造成本低且材料不足的風(fēng)險(xiǎn)小、形成有薄膜Si層的薄膜太陽能電 池的需求升高。進(jìn)一步，在僅具有a-Si (非晶硅)層的現(xiàn)有的薄膜太陽能電池的基礎(chǔ)上， 最近通過層積a-Si層與μ C-Si (微晶硅)層而實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率提高的疊層型薄膜...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。