技術(shù)編號(hào)：7205878
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在基底上形成組成為AlxGa1J(其中χ為0至0. 3)的氮化物的平滑且 無裂紋單晶層從而在氮化物的層中產(chǎn)生拉伸應(yīng)力的領(lǐng)域。然后將這些結(jié)構(gòu)用于電子學(xué)、光學(xué)、光電子學(xué)或光伏應(yīng)用中以形成光伏元件、場(chǎng)致 發(fā)光二極管、肖特基二極管、激光器、光學(xué)探測(cè)器、MEMS(“微機(jī)電系統(tǒng)”)、整流器和場(chǎng)效應(yīng)晶 體管如HEMT ( “高電子遷移率晶體管”)或M0S( “金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管”)晶體管。背景技術(shù)迄今為止，由于缺少天然GaN基底而不能獲得氮化鎵(GaN)同...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。