技術(shù)編號：7205732
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種包括基于III族氮化物的半導(dǎo)體作為主材料的半導(dǎo)體器件。在基 于III族氮化物的半導(dǎo)體器件之中，具體來講，本發(fā)明涉及一種基于III族氮化物的場效應(yīng) 晶體管的結(jié)構(gòu)，其具有閾值電壓的優(yōu)良均勻性和再現(xiàn)性，同時保持低柵泄漏電流和高電子 遷移率，并且還能夠以增強模式操作。背景技術(shù)附圖說明圖10是示意性示出使用基于III族氮化物半導(dǎo)體的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的場效應(yīng)晶體 管型半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。例如，已經(jīng)由Imanaga等人報道了這種場效應(yīng)晶體管 型半導(dǎo)體器...
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