技術(shù)編號：7199770
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及光伏電池制造領(lǐng)域，特別涉及利用反應離子刻蝕進行 單晶硅或多晶硅表面制絨的方法以及用該方法制造的太陽電池。背景技術(shù)在晶體硅太陽電池的制造過程中，由于單晶硅片和多晶硅片與溶 液反應不易控制，溶液腐蝕工藝不能在單晶硅和多晶硅表面上產(chǎn)生足 夠均勻 一致和足夠低反射率的絨面。利用掩膜腐蝕法制備硅片絨面需 要相當復雜的工藝。首先要在硅片上氧化出一層二氧化硅掩膜，然后在掩膜上開一系列大約4微米的小孔，再進行酸腐蝕。盡管掩膜腐蝕 法可以制備出反射率很低的絨面，由...
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