技術(shù)編號(hào)：7196888
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種制備高質(zhì)量圖形化絕緣體上的硅(SOIsilicon-on-insulator)材料的方法。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明的方法所制備的圖形化SOI材料明顯地改善了體硅與SOI區(qū)域之間過渡區(qū)的質(zhì)量，使過渡區(qū)小，缺陷密度低，表面平整度高，屬于先進(jìn)半導(dǎo)體材料的制造工藝。但是，許多SOI電路，如射頻(RF)電路，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，電荷耦合器件(CCD)成像系統(tǒng)等，在SOI襯底實(shí)現(xiàn)的難度還很大，目前工藝上還非常不成熟，無法實(shí)際大規(guī)模應(yīng)用。而這些電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。