技術(shù)編號(hào)：7196226
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種晶體管，尤其涉及一種絕緣柵雙極型晶體管。背景技術(shù)半導(dǎo)體功率器件正在日新月異地向前發(fā)展著。近年來，繼晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、巨型晶體管等功率器件之后，又出現(xiàn)一類新的成員絕緣柵雙極晶體管(IGBT)及MOS控制晶閘管(MCT)。這類新型的功率器件具有較為容易的電壓控制、很強(qiáng)的電流處理能力和良好的高頻工作特征。隨著這類器件的斷態(tài)電壓耐量不斷提高、通態(tài)電流容量的增大，在范圍廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中，必將逐步替代早期的功率器件而成為主宰力量。[0...
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