技術(shù)編號：7192333
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造用于薄膜器件如薄膜絕緣柵場效應(yīng)晶體管(下文簡稱“薄膜晶體管”或“TFT”)的晶狀半導(dǎo)體工藝；本發(fā)明還涉及使用上述晶狀半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體器件的工藝。用子薄膜器件如迄今為止公知的TFT的晶狀硅半導(dǎo)體薄膜，利用使非晶硅膜晶體化制造。非晶硅膜通過等離子體CVD(化學(xué)蒸鍍)或熱CVD來形成，使用一種裝置如電爐；溫度保持不低于600℃，延續(xù)12小時(shí)或更長。只有在使非晶膜經(jīng)受持續(xù)較長的時(shí)間的熱處理，才可能得到具有充分高質(zhì)量(如極好的場效應(yīng)和高可靠性)的晶狀硅...
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