技術(shù)編號(hào)：7189270
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了用于形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，更具體地，本發(fā)明公開了用于形成電容器的方法，其中該電容器包括接觸插頭、擴(kuò)散阻擋膜、由釕(以下稱作“Ru”)形成的下電極、由高介電常數(shù)材料形成的介電薄膜和上電極，其中擴(kuò)散膜阻擋膜在介電薄膜的沉積過程和熱處理期間防止氧原子的擴(kuò)散，以減少器件特性的退化。背景技術(shù) 常規(guī)的擴(kuò)散阻擋膜由TiN、TiAlN、TiSiN或TaSiN組成。由Ru或鉑組成的下電極形成于擴(kuò)散阻擋膜上。在下電極上用高介電常數(shù)材料例如BST或氧化鉭膜形...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。