技術(shù)編號：7188979
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在存儲單元中使用磁阻效應(yīng)元件的磁存儲裝置。近年來，在包括2個強磁性層之間插入絕緣層(也稱隧道阻擋層)的層狀結(jié)構(gòu)的強磁性隧道結(jié)中，通過隧道磁阻效應(yīng)(TMR效應(yīng))得到20％以上的磁阻變化率(MR比)(J.Appl..Phys.，79，4724(1996))。以此為契機，使用利用隧道磁效應(yīng)的強磁性隧道結(jié)磁阻效應(yīng)元件(以下也稱TMR元件)的MRAM得到期待和重視。在MRAM中使用TMR元件的情況下，在夾著隧道阻擋層的二個強磁性層內(nèi)，以其一的磁化方向不變化...
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