技術編號：7187952
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在真空室(處理容器)內(nèi)設置維持在規(guī)定溫度的發(fā)熱體，通過前述發(fā)熱體使原料氣體分解及/或使之活化，并在配置于真空室(處理容器)內(nèi)的基板上使薄膜淀積的、發(fā)熱體CVD裝置以及發(fā)熱體CVD方法。CVD方法中，除了使原料氣體在放電等離子中分解以及/或使之活化從而進行成膜的等離子CVD方法，或者通過加熱基板產(chǎn)生的熱量發(fā)生化學反應，從而進行成膜的熱CVD方法等之外，還有通過用以維持規(guī)定高溫的發(fā)熱體使原料氣體分解以及/或者使之活化從而進行成膜方式的CVD方法(以下...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。