技術(shù)編號：7185142
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于在襯底上介于氮化硅膜形成的氧化硅膜上形成縱橫比高的凹部的。背景技術(shù) 伴隨著半導體裝置的尺寸的縮小，掩模間的重合的偏移量變?yōu)闊o法忽視的值。例如，如果柵布線和接觸孔之間的掩模的重合偏移大，就會發(fā)生柵布線和嵌入接觸孔中的導電膜短路，裝置無法工作的問題。對此，提出了被稱作自動對準接觸蝕刻法的。下面，參照圖9(a)，就該加以說明。如圖9(a)所示，在源極區(qū)域或漏極區(qū)域之上形成了鈷硅化物層101的硅襯底100之上，介于柵絕緣膜102，形成了由多晶硅膜構(gòu)成...
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