技術(shù)編號：7184868
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明技術(shù)屬于微電子超深亞微米CMOS器件及超大規(guī)模集成，具體地說涉及一種超薄氮化氧化膜的制備方法，也適用于一個芯片上需要同時生長多種厚度的氮化氧化膜的制備。本發(fā)明的主要步驟為1.LOCOS(局部氧化)隔離或STI(淺槽)隔離；2.清洗；3.注前氧化；4.注入14N+能量15-30Kev，劑量(1-5)×1014cm-2；5.漂凈注前氧化膜；6.清洗先用上述各步驟中的傳統(tǒng)方法清洗，再用HF/IPA(異丙醇)/H2O室溫下浸泡，去離子水沖洗，甩干立即進(jìn)爐；7...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。