技術(shù)編號：7183748
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及對基板的硅層實(shí)施蝕刻處理以形成深槽 (de印trench)的。背景技術(shù)近年來，伴隨著半導(dǎo)體元件的高密度化、高集成化，有必要在基板上形成高縱橫比 (aspect ratio)的孔或槽(以下，簡稱為"DT")。 但是，通過使用等離子體的蝕刻在硅(Si)層上形成DT時(shí)，作為掩模層，例如適合 使用氧化膜，但存在如下問題，即，在該硅層蝕刻過程中，提高硅層的蝕刻速率(ER)的動(dòng) 作也成為提高氧化膜的ER的動(dòng)作，不能提高硅層蝕刻的選擇比，剩余氧化...
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