技術(shù)編號：7183635
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種MEMS元件，尤其涉及一種利用MEMS加工技術(shù)制成的高電容比的射頻微機電開關(guān)(RF MEMS Switch)及其制造方法。背景技術(shù)由于MEMS開關(guān)具有低損耗、低功耗、好的隔離性、好的線性、微型化以及高集成度，比GaAs FET開關(guān)或PIN型二極管開關(guān)具有更加優(yōu)質(zhì)的性能而被廣泛應(yīng)用于無線通信系統(tǒng)中。 —般的RF MEMS開關(guān)主要是由固定電極、相對于固定電極設(shè)置的移動電極、以及設(shè)置在移動電極和固定電極之間的電介質(zhì)構(gòu)成。當在移動電極和固定電極之間施...
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