技術(shù)編號(hào)：7183358
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池及其制作方法，且特別是有關(guān)于一種薄膜太陽(yáng)能電池及其 制作方法。背景技術(shù)圖1為現(xiàn)有一種薄膜太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1，薄膜太陽(yáng)能電池100 包括一對(duì)基板112、114、二透明導(dǎo)電層122、124、一 N型半導(dǎo)體層130、一 P型半導(dǎo)體層140、 一非晶硅層150。非晶硅層150位于N型半導(dǎo)體層130與P型半導(dǎo)體層140之間。N型半 導(dǎo)體層130與P型半導(dǎo)體層140分別位于非晶硅層150與透明導(dǎo)電層122之間以及非晶硅 層130與透...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。