技術(shù)編號：7183350
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體涉及一種制造鞍型鰭片晶體管的 方法。背景技術(shù)當(dāng)半導(dǎo)體器件變得高度集成時(shí)，傳統(tǒng)的二維晶體管結(jié)構(gòu)具有若干限制。尤其是對 于高速器件，二維晶體管結(jié)構(gòu)往往不能滿足所需的電流驅(qū)動(dòng)。鰭狀場效應(yīng)晶體管(FET)和鞍型鰭片F(xiàn)ET是試圖克服上述限制的兩種實(shí)例。這些 鰭狀FET和鞍型鰭片F(xiàn)ET通常使用三個(gè)表面作為通道，因此，它們提供良好的電流驅(qū)動(dòng)，并 且改善背向偏壓關(guān)聯(lián)性。圖IA ID為說明鰭狀晶體管制造方法的橫截面圖。圖2示出通過圖...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。