技術(shù)編號：7183092
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及。 背景技術(shù)淺溝槽隔離技術(shù)(Shallow Trench Isolation, STI)是一種器件隔離技術(shù)。淺 溝槽隔離結(jié)構(gòu)制備的原理是將與淺溝槽對應(yīng)的硅襯底表面刻蝕出溝槽，用化學(xué)氣相沉積法 (Chemical Vapor D印osition，CVD)將二氧化硅(SiO2) ±真入所述溝槽中。隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入深亞微米時代，0. 18微米以下的元件例如MOS電路的有源區(qū) 隔離層大多采用淺溝槽隔離技術(shù)來制作，在專利號為US7...
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