技術(shù)編號：7182390
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種NMOS器件及其制作方法。 背景技術(shù)NMOS器件分為使用了 PIPToly-Isolator-Poly)電容器和未使用PIP電容器兩 種，使用PIP電容器的NMOS的傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)為圖1所示。參照圖1，通常NMOS部分的下方為 柵氧層(Gate Oxide) 1，PIP電容器部分的下方為場氧層2 (FieldOxide) 2，NM0S部分的場氧 層2則用于不同器件間的隔離。NMOS部分的柵極3和PIP電容器部分的下極板4在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。