技術(shù)編號：7181878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。具體而言，本發(fā)明涉及一種獲得穩(wěn)定的高電阻值的半導(dǎo)體器件及其制造方法。 背景技術(shù)作為處理高頻信號的模擬集成電路的半導(dǎo)體芯片，諸如高頻功率放大器和高頻天 線開關(guān)，使用其中諸如晶體管、電感器、電容器和電阻器的元件形成在一個芯片上的單片微 波集成電路(匪IC)，以便滿足更高集成的需求。 作為在半導(dǎo)體芯片上形成的晶體管，使用下面中的一種III-V族化合物半導(dǎo)體 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET);稱為高電子遷移率晶體管(HE...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。