技術編號：7181795
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術，尤指一種罩幕式只讀存儲器(maskROM)的埋藏位元線的制作方法。為了避免此貫穿現象，習知方法有以一存儲單元貫穿(cell punchthrough，CPT)離子布植制程，植入離子來隔離每一個埋藏位元線，以避免埋藏位元線內的不純物質向外擴散。請參照附圖說明圖1至圖2，圖1至圖2為習知制作罩幕式只讀存儲器的埋藏位元線20的方法示意圖。如圖1所示，一半導體基底10內包含有一P型井12，首先于半導體基底10上進行一熱氧化制程以形成一墊氧...
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