技術(shù)編號(hào):7181535
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種方法,其中,一個(gè)譬如非晶形或多晶的主層安放在襯底上或在基層上。在安放時(shí)或在安放之后摻雜所述的主層。稍后則結(jié)構(gòu)化主層。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的任務(wù)是說(shuō)明一種用于制造集成半導(dǎo)體裝置的方法,該方法是特別簡(jiǎn)單的,并尤其是允許主層的良好結(jié)構(gòu)化。此外,應(yīng)說(shuō)明一個(gè)所屬的半導(dǎo)體裝置和一個(gè)所屬的存儲(chǔ)單元。通過(guò)權(quán)利要求1中說(shuō)明的方法步驟解決涉及本方法的任務(wù)。在從屬權(quán)利要求中說(shuō)明了改進(jìn)方案。在本發(fā)明的方法中,除了文章開(kāi)頭所述的方法步驟之外,還在結(jié)構(gòu)化主層之前在主層上通過(guò)熱...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。