技術編號：7181150
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及功率半導體器件領域，更具體的說，是關于一種適用于高壓 應用的絕緣體上硅的橫向P型雙擴散金屬氧化物半導體管(SOI LDMOS)的新結構。背景技術功率半導體器件是電力電子系統(tǒng)進行能量控制和轉換的基本電子元件，電力電子 技術的不斷發(fā)展為半導體功率器件開拓了廣泛的應用領域，而半導體功率器件的導通電阻 和擊穿電壓等特性則決定了電力電子系統(tǒng)的效率、功耗等基本性能。以橫向雙擴散金屬氧 化物半導體晶體管為代表的現(xiàn)代電力電子器件和相關產品在工業(yè)、能源、交通等用電...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。