技術(shù)編號：7181125
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施方案涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件。 背景技術(shù)III-V族氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于光學(xué)器件例如藍(lán)色和綠色發(fā)光二極管 (LED)、高速開關(guān)器件如M0SFET(金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和HEMT(異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體 管)以及照明器件或顯示器件的光源。 氮化物半導(dǎo)體主要用于LED或LD(激光二極管)，已經(jīng)對于改善氮化物半導(dǎo)體的制 造工藝或光效率持續(xù)進(jìn)行了研究。發(fā)明內(nèi)容 實施方案提供一種能夠增加半導(dǎo)體層和另一層之間的粘附力的半導(dǎo)體發(fā)光器件。 實施方案提供一種半導(dǎo)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。