技術(shù)編號：7180322
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體測試元件(test key)及測試方法，特別是有關(guān)于一種檢測半導(dǎo)體元件中位元線與位元線接點的重疊是否產(chǎn)生偏移的測試元件及其方法。背景技術(shù) 溝槽電容器為一種動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory，簡稱DRAM)中常見的電容器結(jié)構(gòu)，其形成于半導(dǎo)體的硅基底中，并通過增加溝槽電容器在半導(dǎo)體硅基底中的深度可以增加其表面積，以增加其電容量。圖1a、圖1b所示是傳統(tǒng)的溝槽電容器的布局圖。溝槽電容器10配置在路過字...
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