技術(shù)編號：7178414
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明要求2002年6月18日提交的韓國專利申請2002-34150的優(yōu)先權(quán)，在此對其內(nèi)容進(jìn)行交叉引用。為了解決上述的這些問題，開發(fā)了增加晶體管的實際柵極長度的方法，例如形成淺的源/漏節(jié)。但是，即使具有了淺的源/漏節(jié)，因為半導(dǎo)體器件需要進(jìn)一步的縮小，設(shè)計規(guī)則也同樣減小了。為此，因為在源區(qū)和漏區(qū)之間的距離減小到了小于臨界值，如果形成節(jié)的工藝不可避免地伴隨著熱擴(kuò)散過程，則雜質(zhì)離子橫向地擴(kuò)散，從而擴(kuò)展了節(jié)區(qū)。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，因為在源和漏區(qū)之間的距離變得太短了...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。