技術(shù)編號：7175254
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是涉及在雜質(zhì)的擴(kuò)散和激活工序中所必要的熱處理。作為形成淺的pn結(jié)、即在阱上形成淺的雜質(zhì)擴(kuò)散層(源/漏區(qū))的方法，一般在使用通過以低的加速能量進(jìn)行離子注入并短時(shí)間化進(jìn)行其后的退火處理(熱處理)而將擴(kuò)散深度調(diào)整得較淺的方法。例如，作為短時(shí)間的退火處理方法，使用了采用鹵素?zé)舻囊悦霝閱挝坏亩虝r(shí)間熱處理(RTA快速熱退火)。但是，在要求微細(xì)化的同時(shí)，也要求pn結(jié)的深度的進(jìn)一步變淺，要求形成不到20nm的極淺的結(jié)。現(xiàn)在，作為p型雜質(zhì)...
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