技術(shù)編號(hào)：7174700
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種快閃存儲(chǔ)單元(flash memory cells)的氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide，簡稱“ONO”)介電質(zhì)(dielectric)及其制造方法。背景技術(shù) 一半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品通常包含一存儲(chǔ)矩陣(memory array)，其中包括矩陣排列的存儲(chǔ)單元。半導(dǎo)體器件其中的一種類型是快閃存儲(chǔ)元件，其中包括快閃存儲(chǔ)單元。每一快閃存儲(chǔ)單元包含一儲(chǔ)存電荷的浮柵(floating-g...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。