技術(shù)編號：7172279
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明關(guān)于一種，特別有關(guān)于半導體元件的雙壁。背景技術(shù) 近年來，在半導體存儲器元件上的發(fā)展包含了各種增加疊層度的技術(shù)。有鑒于元件的尺寸會隨著疊層度的增加而微縮，較佳的存儲單元應(yīng)具有一晶體管和一電容器。在具有一晶體管與一電容器的存儲單元中，電荷被儲存于與晶體管相連的電容器的儲存節(jié)點上。在半導體存儲器中，可藉由增加存儲單元電容器的電容來改善存儲單元的運作。存儲單元的電容與儲存電極的表面積成正比。因此，為了增加存儲單元晶體管的電容及其效能，應(yīng)該增加其儲存節(jié)點的表面...
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