技術(shù)編號：7172269
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出了一種厚膜圖形化絕緣體上的硅(SOI)材料的制備方法，為微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)和微光電子機(jī)械系統(tǒng)(MOEMS)集成提供襯底材料，屬于微電子。背景技術(shù) 微電子技術(shù)中的硅集成電路制造工藝是高度集成和高度成熟的工藝。在微電子技術(shù)的帶動(dòng)下，為了與硅集成電路制造工藝相結(jié)合，硅基微機(jī)械加工技術(shù)，硅基集成光學(xué)都得到了飛速發(fā)展，并與硅基微電子技術(shù)相結(jié)合形成了MEMS和MOEMS技術(shù)。在硅襯底上進(jìn)行MOEMS集成一直是人們追求的一個(gè)目標(biāo)。近年來，隨著超大規(guī)模集...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。