技術(shù)編號：7170472
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種。背景技術(shù)眾所周知，晶體管是集成電路中的關(guān)鍵元件。為了提高晶體管的工作速度，需要提高晶體管的驅(qū)動電流。又由于晶體管的驅(qū)動電流正比于晶體管的柵極寬度，因此要提高驅(qū)動電流，需要增加?xùn)艠O寬度。但是，增加?xùn)艠O寬度與半導(dǎo)體本身尺寸按比例縮小相沖突，于是發(fā)展出了鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)。鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)中的源/漏區(qū)相對傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管抬高了，這樣會帶來源漏區(qū)和柵結(jié)構(gòu)之間的寄生電容增大的問題，從而影響晶體管本身的工作...
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