技術(shù)編號：7170471
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種。背景技術(shù)眾所周知，晶體管是集成電路中的關(guān)鍵元件。為了提高晶體管的工作速度，需要提高晶體管的驅(qū)動電流。又由于晶體管的驅(qū)動電流正比于晶體管的柵極寬度，因此要提高驅(qū)動電流，就需要增加?xùn)艠O寬度。但是，增加?xùn)艠O寬度與半導(dǎo)體本身尺寸的縮小化需求相沖突，于是發(fā)展出了鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)。現(xiàn)有技術(shù)中，鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的形成方法包括提供襯底；在所述襯底上通過刻蝕的方法形成鰭結(jié)構(gòu)；通過刻蝕的方法在所述襯底和鰭結(jié)構(gòu)上形...
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