技術(shù)編號(hào)：7170269
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種增加背表面鈍化與開線印刷鋁漿，制備背電場區(qū)域接觸晶體硅太陽電池的方法。背景技術(shù)背電場區(qū)域接觸晶體硅太陽電池結(jié)構(gòu)在實(shí)驗(yàn)室工藝制作非常復(fù)雜，繁瑣，生產(chǎn)成本很高，直到目前為止，世界范圍內(nèi)尚未應(yīng)用到大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)中。要實(shí)現(xiàn)背表面鈍化區(qū)域接觸，實(shí)驗(yàn)室工藝中采取的是光刻方法，或者激光燒融的方法。其中光刻法工藝過程復(fù)雜，成本高，一般用于半導(dǎo)體行業(yè)中；激光燒融的方法對(duì)激光和背面電場要求很高，實(shí)際大規(guī)模生產(chǎn)中可能造成成品率低，激光燒融形成背表面接觸在最后一步...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。